Investigating interface states and oxide traps in the MoS2/oxide/Si system
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
investigating the relationship between creativity and performance in written narrative tasks
با بکارگیری کوریلیشن و آنوا در قسمت اول و تی تست در قسمت دوم آنالیز داده ها انجام گردیدکه نهایتا رابطه بین برخی فاکتورهای خلاقیت و نوشتار یافت شد
15 صفحه اولHealth System Reform in the United States
In 2010, the United States adopted its first-ever comprehensive set of health system reforms in the Affordable Care Act (ACA). Implementation of the law, though politically contentious and controversial, has now reached a stage where reversal of most elements of the law is no longer feasible. The controversial portions of the law that expand affordable health insurance coverage to most U.S. cit...
متن کاملinvestigating the interaction of language knowledge and strategic competence in the performance of efl learners on reading-to-write and writing-only test tasks
این مطالعه به دو روش کمی و کیفی و با هدف بررسی استراتژی های فراشناختی فراگیران زبان انگلیسی به عنوان زبان خارجی در دو آزمون نوشتن و نوشتن ترکیبی انجام پذیرفت. در بخش کمی برای سنجش میزان استراتژی های فراشناختی از یک پرسشنامه که بر اساس مدل بکمن و پالمر (1996) ساخته شده بود استفاده شد. پایایی و روایی سازه ی پرسشنامه هنگام مطالعه ی پایلوت و روایی محتوای آن با جمع آوری نظرات نُه متخصص در رشته سنجیده...
“investigating the relationship between knowledge management and customer satisfaction considering to the e-services”
چکیده : این مطالعه تاثیر مدیریت دانش بر رضایتمندی مشتریان با توجه به خدمات الکترونیک در سازمان حمل و نقل و پایانه های استان سیستان و بلوچستان را مورد بررسی قرار می دهد. جامعه آماری این تحقیق مدیران، سرپرستان و کارشناسان مشغول به کار در سازمان حمل و نقل و پایانه های استان سیستان و بلوچستان بوده که مجموعا 94 نفر می باشند. برای تعیین حداقل نمونه از جدول مورگان استفاده شده است. که با توجه به جدول ...
Switching Oxide Traps
We consider radiation-induced charge trapping in Si02 dielectric layers, primarily from the point of view of CMOS devices. However, Si02 insulators are used in many other ways, and the same defects occur in other contexts. The key studies, which determined the nature of the oxide charge traps, were done primarily on gate oxides in CMOS devices, because that was the main radiation problem in CMO...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Solid-State Electronics
سال: 2021
ISSN: 0038-1101
DOI: 10.1016/j.sse.2021.108123